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HV LED实现微晶粒串并联 开创照明高效率时代
作者:松音陶笛  来源:本站  发表时间:2018-11-09 15:00:10   浏览:

HV LED实现微晶粒串并联 开创照明高效率时代

传统DC LED芯片是在大电流低电压下工作,为提升使用电压,一般采用集成封装(COB)结构,即多颗芯片串并联。虽然目前LED照明应用仍然以DC驱动为大宗,但是该技术经由AC/DC转换能源后驱动灯具照明,不仅增加了应用成本,也增加了产品的复杂度,使整体节能效益降低。

HV LED直接在芯片级就实现了微晶粒的串并联,使其在低电流高电压下工作,将简化芯片固晶、键合数量,封装成本降低。HV芯片是在单位面积内形成多颗微晶粒集成,避免了芯片间BIN内波长、电压、亮度、跨度等带来的一致性问题。

近年来,LED照明灯具的设计更倾向于简便化和轻薄化,而高压芯片以其灵活性、多样性及其低成本性等优势为市场所看好。

与传统DC LED功率芯片相比,HVLED芯片具有封装成本低、暖白光效高、驱动电源效率高、线路损耗低等优势。一颗传统的1WDCLED芯片采用350mA驱动,电压为3.4V左右,试定电压为220V,需要使用60~70颗芯片,而电流达到2×104mA左右,在这种室温条件下需要使用电压转接器,降低电流量。而一颗HV芯片电流为20mA,电压为50V,在试定电压220V,4~5颗芯片,电流在100mA以下,可以省掉变压器,节约成本,提高芯片的一致性。

由此可以看出,同样输出功率的高压LED在工作时耗散的功率要远低于低压LED,这也意味着散热铝外壳的成本可大大降低。按照目前的产品来说,高压芯片的制造成本比低压成本少10%~30%。

高压芯片节省成本是多方面的。高压芯片不仅能降低驱动电路和变压器等外围成本,还能节省工艺成本。此外,由于低压芯片使用变压器降压的过程中会有耗能损失,高压芯片没有能耗损失,可以进一步提高光效。

随着技术难题的突破,高压芯片有望成为未来芯片市场主流,但是其本身所具有的技术难度和工艺水准也让很多企业望而生畏。不过,随着未来高压芯片的普及,研发成本的降低,HVLED芯片本身具有成本优势的高压芯片价格也将得到进一步降低。